IGW75N60H3

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	151.46kr	189.33kr
2 - 2	143.89kr	179.86kr
3 - 4	136.32kr	170.40kr
5 - 9	128.75kr	160.94kr
10 - 14	125.72kr	157.15kr
15 - 19	122.69kr	153.36kr
20 - 27	118.14kr	147.68kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	151.46kr	189.33kr
2 - 2	143.89kr	179.86kr
3 - 4	136.32kr	170.40kr
5 - 9	128.75kr	160.94kr
10 - 14	125.72kr	157.15kr
15 - 19	122.69kr	153.36kr
20 - 27	118.14kr	147.68kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 27

Set med 1

IGW75N60H3. C(tum): 4620pF. Kostnad): 240pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: Mycket låg VCEsat. Kollektorström: 140A. Ic(puls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Märkning på höljet: G75H603. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 428W. RoHS: ja. Leveranstid: KB. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 265 ns. Td(på): 31 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 02:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!