HGTG30N60B3D

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	124.27kr	155.34kr
2 - 2	118.06kr	147.58kr
3 - 4	111.84kr	139.80kr
5 - 9	105.63kr	132.04kr
10 - 14	103.15kr	128.94kr
15 - 19	100.66kr	125.83kr
20 - 21	96.93kr	121.16kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	124.27kr	155.34kr
2 - 2	118.06kr	147.58kr
3 - 4	111.84kr	139.80kr
5 - 9	105.63kr	132.04kr
10 - 14	103.15kr	128.94kr
15 - 19	100.66kr	125.83kr
20 - 21	96.93kr	121.16kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 21

Set med 1

HGTG30N60B3D. Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 137 ns. Td(på): 36ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.45V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.2V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 02:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!