HGTG20N60B3

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	69.88kr	87.35kr
2 - 2	66.38kr	82.98kr
3 - 4	62.89kr	78.61kr
5 - 9	59.39kr	74.24kr
10 - 19	58.00kr	72.50kr
20 - 29	56.60kr	70.75kr
30 - 189	54.50kr	68.13kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	69.88kr	87.35kr
2 - 2	66.38kr	82.98kr
3 - 4	62.89kr	78.61kr
5 - 9	59.39kr	74.24kr
10 - 19	58.00kr	72.50kr
20 - 29	56.60kr	70.75kr
30 - 189	54.50kr	68.13kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 189

Set med 1

HGTG20N60B3. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Kapsling (JEDEC-standard): UFS Series IGBT. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: HG20N60B3. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 25 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 220 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 165W. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Maximal kollektorström (A): 160A. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 07:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!