Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 57.25kr 71.56kr
5 - 9 54.39kr 67.99kr
10 - 24 51.52kr 64.40kr
25 - 45 48.66kr 60.83kr
Kvantitet U.P
1 - 4 57.25kr 71.56kr
5 - 9 54.39kr 67.99kr
10 - 24 51.52kr 64.40kr
25 - 45 48.66kr 60.83kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 45
Set med 1

HGTG12N60C3D. Kanaltyp: N. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Kollektorström: 24A. Ic(puls): 96A. Ic(T=100°C): 12A. Märkning på höljet: G12N60C3D. Pd (effektförlust, max): 104W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 270 ns. Td(på): 14 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 02:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.