Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 57.25kr | 71.56kr |
5 - 9 | 54.39kr | 67.99kr |
10 - 24 | 51.52kr | 64.40kr |
25 - 45 | 48.66kr | 60.83kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 57.25kr | 71.56kr |
5 - 9 | 54.39kr | 67.99kr |
10 - 24 | 51.52kr | 64.40kr |
25 - 45 | 48.66kr | 60.83kr |
HGTG12N60C3D. Kanaltyp: N. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Kollektorström: 24A. Ic(puls): 96A. Ic(T=100°C): 12A. Märkning på höljet: G12N60C3D. Pd (effektförlust, max): 104W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 270 ns. Td(på): 14 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 02:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.