Transistorer

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 301. Drain-source spänning Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 301. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 8 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 9.5pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 303. Drain-source spänning Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 63pF. Kostnad): 34pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1.5A. ID (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. ID (T=25°C): 0.46A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 304. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Resistans Rds På: 1.22 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 55 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 25V. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.65V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Drift gate spänning så låg som 2,5V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Typ av transistor: IGBT transistor. Kollektor-emitterspänning: 1200V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-3P

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3PN. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FGA40N65SMD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 650V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 120ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 174W. Maximal kollektorström (A): 60.4k Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 2915pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 47ms. Kollektorström: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Pd (effektförlust, max): 600W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 104 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: "Field Stop IGBT". Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Solar Inverter, UPS, Svetsstation, PFC, Telecom, ESS. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 940pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Märkning på höljet: FGB20N60SF. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 90 ns. Td(på): 12 ns. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2-PAK. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 2. Funktion: solomriktare, UPS, svetsmaskin, PFC. obs: N-kanal MOS IGBT transistor. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

C(tum): 2110pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Märkning på höljet: FGH40N60SFD. Pd (effektförlust, max): 290W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 115 ns. Td(på): 25 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1880pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 70 ns. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Pd (effektförlust, max): 349W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 92 ns. Td(på): 12 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Solar Inverter, UPS, Svetsstation, PFC, Telecom, ESS. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 2110pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Pd (effektförlust, max): 290W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 112 ns. Td(på): 24 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 2820pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 47 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorström: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Märkning på höljet: FGH60N60SFD. Pd (effektförlust, max): 378W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 134 ns. Td(på): 22 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 2820pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorström: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Märkning på höljet: FGH60N60SF. Pd (effektförlust, max): 378W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 134 ns. Td(på): 22 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

C(tum): 2915pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 30 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorström: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Märkning på höljet: FGH60N60SMD. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 18 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264. Kapsling (JEDEC-standard): plaströr. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FGL40N120AND. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 5.5V. Maximal förlust Ptot [W]: 500W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 20 ns. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264-3L. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.9V...3.15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7.5V. Maximal kollektorström (A): 160A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Högspänningsfärgskärm horisontell avböjning . Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: J6810. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. obs: screentryckt. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: J6810A. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf (typ): 0.2us. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Vebo: 6V. Antal per fodral: 1. Funktion: Höghastighetsväxling. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: High V Color Display Hor Defl (med spjälldiod) . Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: J6810D. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. obs: screentryckt J6810. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-diod: ja

Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Högspänningsfärgskärm horisontell avböjning . Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: J6812. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. obs: screentryckt J6812. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-diod: ja

Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 17A. Märkning på höljet: J4315O. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) FJL4215-O

Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 20A. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: 19 tums skärm. Spec info: VEBO 6V

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspänningsfärgskärm horisontell avböjning . Max hFE-förstärkning: 8.5. Minsta hFE-förstärkning: 5.5. Kollektorström: 20A. Ic(puls): 30A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 25

Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 300mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117

Kostnad): 110pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 8. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: J13007. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 110pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 28. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: J13007-1. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 110pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 39. Minsta hFE-förstärkning: 26. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: J13007-2. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS