Transistorer

Kanaltyp: N. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 79A. Effekt: 310W. Hölje: TO-220AB. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 79A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-source spänning (Vds): 150V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 6000pF. Kostnad): 820pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 64 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2880pF. Kostnad): 3990pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 62 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 61A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 945pF. Kostnad): 155pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 315 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 46A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.46 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: UniFET TM II MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 23nC), Låg Crss 14pF. G-S Skydd: ja

C(tum): 480pF. Kostnad): 66pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 28W. Resistans Rds På: 1.15 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 28 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: UniFET MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Låg grindladdning (typisk 11nC), låg Crss 5pF. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 720pF. Kostnad): 95pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.5W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Låg grindladdning (typisk 12nC), låg Crss 9pF. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1604pF. Kostnad): 408pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 42 ns. Td(på): 13 ns. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Teknik: P-kanal. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2010pF. Kostnad): 590pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 36ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 100 ns. Td(på): 12 ns. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Teknik: P-kanal. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1385pF. Kostnad): 275pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: batteriladdningskontroll. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 10 ns. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Teknik: P-kanal. Spec info: HBM ESD-skyddsnivå på 3,8kV. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: omplementary PowerTrench MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Konditioneringsenhet: 2500. Spec info: N-kanalstransistor (Q1), P-kanalstransistor (Q2)

Kanaltyp: P. Funktion: Dubbel P-kanal MOSFET, PowerTrench, 30V. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 2. Teknik: P-kanal. Spec info: td(on) 13ns, td(off) 48ns

Kanaltyp: P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.6W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Teknik: P-kanal. Spec info: td(on) 12ns, td(off) 68ns

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: FDS6670A. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 64 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2220pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 200 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2470pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): 1. Tillverkarens märkning: Utökat VGS-område (-25V) för batteridrivna applikationer. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 120ns. Td(på): 3 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: FDS6675BZ

C(tum): 2890pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 65A. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 1uA. IDss (min): n/a. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 7.7m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 210 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 1205pF. Kostnad): 290pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 2500. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 9.8m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 28 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: logisk nivåkontroll. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): 8.2A. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: FDS6900AS. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 29 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 570pF/600pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: FDS6912. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 29 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 740pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 475pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1uA. Resistans Rds På: 19m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 42 ns. Td(på): 5 ns. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)

C(tum): 760pF. Kostnad): 155pF. Kanaltyp: N-P. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1uA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: dubbel MOSFET-transistor, N- och P-kanaler, PowerTrench . Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Funktion: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: FDS9435A. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 528pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Kapsling (JEDEC-standard): 1. Td(på): 7 ns. Teknik: P-Channel PowerTrench MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V

Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 15 ns. ID (T=100°C): 5.4A. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.030 Ohms. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: P. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.075 Ohms