FDS6675BZ

FDS6675BZ. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 200 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2470pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): 1. Tillverkarens märkning: Utökat VGS-område (-25V) för batteridrivna applikationer. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 120ns. Td(på): 3 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: FDS6675BZ. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.