Transistorer

C(tum): 530pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: P. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 16 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 1uA. obs: screentryck/SMD-kod 365P. Märkning på höljet: 365 P. Antal terminaler: 6. Pd (effektförlust, max): 1.6W. Resistans Rds På: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: PowerTrench® MOSFET. Hölje: TSOP. Hölje (enligt datablad): SUPERSOT-6. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 35V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Växelriktare, nätaggregat. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SUPERSOT-6. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Drain-source spänning Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.7W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23/6. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Tillverkarens märkning: .638. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: -1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 33 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1160pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.6W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Märkning på höljet: 420. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N&P PowerTrench MOSFET. Hölje: TSOP. Hölje (enligt datablad): SUPERSOT-6. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 6. Funktion: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). obs: screentryck/SMD-kod 420

C(tum): 700pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: P. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. obs: screentryck/SMD-kod 642. Märkning på höljet: 642. Antal terminaler: 6. Pd (effektförlust, max): 1.6W. Resistans Rds På: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 120ns. Td(på): 6 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: TSOP. Hölje (enligt datablad): SUPERSOT-6. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 20V. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Funktion: Belastningsbrytare, batteriskydd. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 630pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: P. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 17 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 250uA. obs: screentryck/SMD-kod FDC642P. Märkning på höljet: FDC642P. Antal terminaler: 6. Pd (effektförlust, max): 1.2W. Resistans Rds På: 0.0525 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 23.5 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: SSOT. Hölje (enligt datablad): SUPERSOT-6. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 20V. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Funktion: Belastningsbrytare, batteriskydd. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2085pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Högpresterande trench-teknik". Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 58A. Idss (max): 1uA. obs: Logisk nivå grindad transistor. Märkning på höljet: FDD4141. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 69W. Resistans Rds På: 12.3m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 38 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: extremt lågt RDS(on)-motstånd. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. C(tum): 759pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 1uA. obs: Logisk nivå grindad transistor. Märkning på höljet: FDD5614P. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.076 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 19 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FDD5690. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 24 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1110pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Resistans Rds På: 0.023 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 25 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 52W. Resistans Rds På: 0.0088 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1715pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 26 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 1uA. obs: Logisk nivå grindad transistor. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 52W. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 43 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1400pF. Kostnad): 317pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 26 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. Idss (max): 59A. Märkning på höljet: FDD6635. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 55W. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 28 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5070pF. Kostnad): 550pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1uA. obs: Logisk nivå grindad transistor. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 8.2M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 69 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Power Trench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1715pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 26 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 1uA. obs: Logisk nivå grindad transistor. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 52W. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 43 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 575pF. Kostnad): 64pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56.4 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 1uA. obs: High performance trench technology. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 56.8W. Resistans Rds På: 61m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15.8 ns. Td(på): 10.3 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: extremt lågt RDS(on)-motstånd. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1970pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 2500. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 22 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FDD8447L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 44W. Resistans Rds På: 0.085 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 38 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Power Trench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Snabb växling, växelriktare, nätaggregat. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 880pF. Kostnad): 195pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 2500. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 23 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 39 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Power Trench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 6000pF. Kostnad): 820pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 64 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247-3. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FDH45N50F. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 140 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 215 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6630pF. Maximal förlust Ptot [W]: 625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 7.5A. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: dubbel N-kanals MOSFET-transistor, 30V, PowerTrench MOSFET . Hölje: SMD. Hölje (enligt datablad): Power-56-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 2. Funktion: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2)

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 306. Drain-source spänning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 61 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1138pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 451pF. Kostnad): 75pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Batterihantering. Id(imp): 5A. ID (T=25°C): 1.6A. Idss (max): 0.1uA. IDss (min): n/a. obs: screentryck/SMD-kod 338. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Resistans Rds På: 0.088 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 16 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Specified PowerTrench MOSFET. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 20V. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V

C(tum): 182pF. Kostnad): 56pF. Kanaltyp: P. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. ID (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 358. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Resistans Rds På: 0.105 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 618. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 16.5 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 430pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 2200pF. Kostnad): 330pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 235W. Resistans Rds På: 0.22 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 55 ns. Teknik: N-Channel MOSFET (UniFET). Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS