Transistorer

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: V-MOS. ID (T=25°C): 3.2A. Idss (max): 3.2A. Pd (effektförlust, max): 78W. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 4.5A. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 1.6 Ohms. Teknik: V-MOS. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1

C(tum): 734pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER Förstärkare MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 120ns. Teknik: P-kanal MOSFET Power Transistor. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 14V. Grind/källa spänning (av) max.: 1.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.15V. Antal terminaler: 2. Spec info: komplementär transistor (par) BUZ901. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 2 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 2 Ohms. Teknik: TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.9 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.9 Ohms. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-220. Spänning Vds(max): 600V

Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Kollektorström: 8A. Effekt: 80W. Hölje: TO-220AB (MJE13007)

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Field Effect Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v

C(tum): 40pF. Kostnad): 14pF. Kanaltyp: N. Funktion: Dubbel IGBT-transistor (isolerad). Kollektorström: 200A. Ic(puls): 400A. Ic(T=100°C): 200A. Mått: 108x62x31mm. Pd (effektförlust, max): 1500W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 300 ns. Td(på): 250 ns. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Antal terminaler: 7. Spec info: Högeffektsväxling. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Kollektorström: 4A. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 70V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Spec info: komplementär transistor (par) CSD1133

C(tum): 260pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 1uA. Antal terminaler: 6. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 17W. Resistans Rds På: 0.024...0.042 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 4.2 ns. Td(på): 2.8 ns. Teknik: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Hölje: WSON6. Hölje (enligt datablad): 2 mm × 2 mm plastfodral. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kostnad): 130pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: D44H11. Ekvivalenta: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) D45H11. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D44H11G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D44H8. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D44H8G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 83W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 90 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) D45VH10. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 20A. Ekvivalenta: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: par D44H11. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D45H11G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 40 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 5V

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D45H8G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 40 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -80V. Kollektorström: -15A. Effekt: 83W. Hölje: TO–220AB

RoHS: ja. Enhetsfamilj: Verktyg

C(tum): 37pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 600A. Ic(puls): 1200A. Ic(T=100°C): 600A. Mått: 172x89x37mm. Pd (effektförlust, max): 3350W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.7 ns. Td(på): 0.21 ns. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.8V. Antal terminaler: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Funktion: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: C3025LS. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.2V/-2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 590/631pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Komponentfamilj: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C