Transistorer

C(tum): 1802pF. Kostnad): 415pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 1uA. Märkning på höljet: P3020LS. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.0116 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 46 ns. Td(på): 5.1 ns. Teknik: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Olika: Snabb växlingshastighet, lågt in-/utgångsläckage. Funktion: Lågt på-motstånd, låg grindtröskelspänning, låg ingångskapacitans. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Kollektorström: 50mA. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 14. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje (enligt datablad): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Spec info: screentryck/SMD-kod 14

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: Digital transistor (inbyggd förspänningsmotstånd). Kollektorström: 50mA. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 14. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Spec info: screentryck/SMD-kod 14

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: Digitala transistorer (inbyggda motstånd). Kollektorström: 0.1A. Märkning på höljet: 15. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Spec info: screentryck/SMD-kod 15. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SC-72. Hölje (enligt datablad): SC-72 ( D143 ). Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V

Motstånd B: 4.7k Ohms. BE-motstånd: 47k Ohms. Kostnad): 3pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: PNP-resistorutrustad transistor. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 100mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: screentryck/SMD-kod 19. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Motstånd B: 10k Ohms. BE-motstånd: 10k Ohms. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: DTR.. Kollektorström: 50mA. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 24. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Effekt: 0.2W. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SC-59. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Spec info: screentryck/SMD-kod 24. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Motstånd B: 4.7k Ohms. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Transistor med inbyggt förspänningsmotstånd. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 100mA. obs: screentryck/SMD-kod 33. Märkning på höljet: *33, P33, t33, w33. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Produktionsdatum: 2014/49. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 18. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 10V

Motstånd B: 47k Ohms. BE-motstånd: 47k Ohms. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 0.03A. Märkning på höljet: 26. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Spec info: screentryck/SMD-kod 26. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Kollektorström: 0.1A. Effekt: 0.3W. Hölje: SC-72. BE-motstånd: 47k+22k Ohms

Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(tum): 900pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Olika: HI-FI effektförstärkare. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER Förstärkare MOSFET. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 155 ns. Teknik: N–CHANNEL POWER MOSFET. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 14V. Grind/källa spänning (av) max.: 1.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.1V. Spec info: komplementär transistor (par) ECW20P20. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(tum): 1850pF. Kostnad): 850pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Olika: HI-FI effektförstärkare. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER Förstärkare MOSFET. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 105 ns. Td(på): 150 ns. Teknik: P-kanal MOSFET Power Transistor. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 14V. Grind/källa spänning (av) max.: 1.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.1V. Spec info: komplementär transistor (par) ECW20N20. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(tum): 500pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Olika: HI-FI effektförstärkare. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER Förstärkare MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 100 ns. Teknik: N–CHANNEL POWER MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 14V. Grind/källa spänning (av) max.: 1.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.15V. Spec info: komplementär transistor (par) ECX10P20. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(tum): 500pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Olika: HI-FI effektförstärkare. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER Förstärkare MOSFET. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 100 ns. Teknik: P-kanal MOSFET Power Transistor. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 14V. Grind/källa spänning (av) max.: 1.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.15V. Spec info: komplementär transistor (par) ECX10N20. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Power Darlington NPN-transistormodul. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 300. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 150A. obs: Skruvad. Antal terminaler: 4. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 225W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Typ av transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Vebo: 7V. Spec info: Single Dual Emitter

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Hölje: ISOTOP. Konfiguration: Skruvad. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: ESM6045DV. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Samlarström Ic [A], max.: 84A. Maximal förlust Ptot [W]: 250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1148pF. Kostnad): 671pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 390 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 119 ns. Td(på): 34 ns. Teknik: SuperFET MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 11A. Effekt: 36W. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. Hölje: TO-220F. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 36W. Resistans Rds På: 0.33 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-source spänning (Vds): 650V

C(tum): 1495pF. Kostnad): 235pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 490 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 16.5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FDA16N50. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 205W. Resistans Rds På: 0.31 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: UniFET MOSFET, DMOS technology. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Låg grindladdning. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2280pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: FDA24N40F. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 235W. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 40 ns. Teknik: UniFET MOSFET, DMOS technology. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 400V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3P. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FDA50N50. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 220 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 460 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6460pF. Maximal förlust Ptot [W]: 625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 3090pF. Kostnad): 630pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 392W. Resistans Rds På: 0.041 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 70 ns. Teknik: UniFET MOSFET. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 250V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3570pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 210 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 276A. ID (T=100°C): 44.2A. ID (T=25°C): 69A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 480W. Resistans Rds På: 0.034 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 95 ns. Teknik: UniFET MOSFET. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 250V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1970pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 0.0087 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 28 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS