Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 36.47kr | 45.59kr |
5 - 9 | 34.64kr | 43.30kr |
10 - 24 | 32.82kr | 41.03kr |
25 - 49 | 31.00kr | 38.75kr |
50 - 60 | 30.27kr | 37.84kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 36.47kr | 45.59kr |
5 - 9 | 34.64kr | 43.30kr |
10 - 24 | 32.82kr | 41.03kr |
25 - 49 | 31.00kr | 38.75kr |
50 - 60 | 30.27kr | 37.84kr |
FDB8447L. C(tum): 1970pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 0.0087 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 28 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 02:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.