Transistorer

Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 50. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 20A. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 32W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 175W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3PN. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUX48A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Maximal förlust Ptot [W]: 175W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Funktion: S. Kollektorström: 2A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 450V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUX85G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Motstånd B: Krafttransistor. BE-diod: NPN. C(tum): 1000V. Kostnad): 0.5A. CE-diod: 40W. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-82. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUX87P. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 450V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 42W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Halvledarmaterial: kisel. FT: 25 MHz. Funktion: S-L. Minsta hFE-förstärkning: 20. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 15A. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 2A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 2200V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 280V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1

C(tum): 1220pF. Kostnad): 410pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Pd (effektförlust, max): 120W. Resistans Rds På: 0.018 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: SIPMOS, PowerMosfet. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): P-TO263-3-2. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1

C(tum): 1500pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 0.03 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 180 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 50V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 42A. Idss (max): 42A. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.028 Ohms. Teknik: V-MOS. Spänning Vds(max): 50V. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 39A. Idss (max): 39A. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 40m Ohms. Teknik: V-MOS S/L. Spänning Vds(max): 50V. obs: 250/500ns. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUZ22. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 300 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1850pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 2.6A. Pd (effektförlust, max): 78W. Teknik: V-MOS L. Spänning Vds(max): 1000V. Antal per fodral: 1

C(tum): 330pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUZ73LH. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 840pF. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 3 Ohms. Teknik: V-MOS. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 1.8 Ohms. Teknik: V-MOS. Spänning Vds(max): 400V. obs: <57/115ns. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUZ76A. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 650pF. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: <50/105ns. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 2.7A. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 4 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1

C(tum): 460pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 350 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 3 Ohms. Td(av): 50 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. Idss (max): 2.1A. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 3 Ohms. Teknik: V-MOS (F). Spänning Vds(max): 800V. obs: <100/220ns. Antal per fodral: 1