Transistorer

BE-motstånd: 260 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 10A. Pd (effektförlust, max): 62W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Funktion: hFE 60...230, isolerat plasthus. Spec info: hösttid 0,8us. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BU941ZP. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 350V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Maximal förlust Ptot [W]: 155W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 65W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. obs: >300. Antal per fodral: 1

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hösttid 625ns. Max hFE-förstärkning: 3400. Minsta hFE-förstärkning: 500. Kollektorström: 10A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Antal per fodral: 1. Spec info: 360-450V Clamping

Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Spec info: HV-POWER

Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 60A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Högspänning Multi Epitaxial Planar Technology". Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Högspännings snabbomkopplande krafttransistor

Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 14. Minsta hFE-förstärkning: 7. Kollektorström: 14A. Ic(puls): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): TO-218-ISO. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: hi-res, monitor 19. Spec info: Icmax--18A <5mS

Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Högspänningstransistor med snabb koppling. Max hFE-förstärkning: 14. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 16A. Ic(puls): 22A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218 ( SOT93 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Icm.22A <5ms

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Spec info: MONITOR

Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: "Hi-res". Max hFE-förstärkning: 9. Minsta hFE-förstärkning: 2.5. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 44W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Hölje: ISOWATT218FX. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: MONITOR

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Max hFE-förstärkning: 6. Minsta hFE-förstärkning: 4. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 15A. Pd (effektförlust, max): 60W. Tf (typ): 190 ns. Hölje: ISOWATT218. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Vebo: 10V. Antal per fodral: 1. Spec info: MONITOR. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 57W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. obs: MONITOR. Antal per fodral: 1. Spec info: Ts 2.1/3.1us

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 13.5A. Idss (max): 13.5A. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.12 Ohms. Teknik: V-MOS. Spänning Vds(max): 50V. Antal per fodral: 1

C(tum): 750pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 20uA. IDss (min): 2uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 2.1 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 10 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2230pF. Kostnad): 510pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 62 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 347A. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (effektförlust, max): 166W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 84 ns. Td(på): 18 ns. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): SOT-404. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1200pF. Kostnad): 290pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 217A. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 54A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (effektförlust, max): 118W. Resistans Rds På: 17m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 70 ns. Td(på): 15 ns. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): SOT-404. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 440pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 81A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 0.05uA. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 62W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 28 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): SOT-78 ( TO220AB ). Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Resistans Rds På: 0.064 Ohms. Funktion: Fordon, strömbrytare, 12V och 24V motor. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 32. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 4A. Ic(puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Tf (typ): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Funktion: högspänning, snabbväxling. Spec info: TO-220. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 4A. Ic(puls): 6A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 9V. Funktion: högspänning snabb omkoppling, för att byta strömförsörjning. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: 14. Minsta hFE-förstärkning: 6. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb omkoppling för att byta strömförsörjning

Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 13.5. Minsta hFE-förstärkning: 8. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 36W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SMPS S-L. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 800V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Vebo: 9V. Antal per fodral: 1. Spec info: Höghastighetsväxling

Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Snabb kommutering för switchade strömförsörjning. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 4. Kollektorström: 4A. Ic(puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.13V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SMPS S-L. Kollektorström: 7A. Pd (effektförlust, max): 75W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Spec info: Höghastighetsväxling

Kostnad): 50pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 12 MHz. Funktion: SMPS S-L. Max hFE-förstärkning: 34. Minsta hFE-förstärkning: 14. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 10A. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220AB CASE 221A-09. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Antal per fodral: 1. Spec info: Höghastighetsväxling. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS