Transistorer

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L TV-HA. Kollektorström: 12A. Pd (effektförlust, max): 120W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 375V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L TV-HA. Kollektorström: 12A. Pd (effektförlust, max): 120W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L TV-SN. Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 70W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 800V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 375V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA/Monitor. Kollektorström: 8A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): SOT-399. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA/Monitor. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 45W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: SOT-199. Hölje (enligt datablad): SOT-199. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA/Monitor. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 45W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): SOT-399. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA/Monitor. Max hFE-förstärkning: 7.3. Minsta hFE-förstärkning: 4.2. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Hölje: SOT-199. Hölje (enligt datablad): SOT-199. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Rbe 25 Ohms

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV/Monitor. Kollektorström: 12A. Pd (effektförlust, max): 55W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): SOT-399. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Spec info: CTV-HA (isolerad). Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV/Monitor. Kollektorström: 16A. Pd (effektförlust, max): 125W. Hölje: SOT-430. Hölje (enligt datablad): SOT-430. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Spec info: CTV-HA

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA. Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 75W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 2.5A. Pd (effektförlust, max): 75W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 2.5A. Pd (effektförlust, max): 75W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA SMPS. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Spec info: TO-220AB. obs: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: SMPS (F). Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Spec info: TO-220F (SOT186)

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-218. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-199. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BU508AF. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 700V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Maximal förlust Ptot [W]: 34W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 34W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1

Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1500V. Kollektorström: 8A. Effekt: 125W. Hölje: TO-247

Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 34W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ISOWATT-218. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BU508DFI. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 700V. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 7 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-SN. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 62W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 480V. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 330V/200V. Samlarström Ic [A], max.: 7A. Maximal förlust Ptot [W]: 90W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 330V/ 200V. Samlarström Ic [A], max.: 7A. Maximal förlust Ptot [W]: 90W

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Darlington transistor, Hög spänning och snabb omkoppling. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Vebo: 6V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 42W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FH. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Spec info: TO-220FH

BE-motstånd: 42 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: 230. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 62W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218FX. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)