FDD4141

FDD4141. C(tum): 2085pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Högpresterande trench-teknik". Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 58A. Idss (max): 1uA. obs: Logisk nivå grindad transistor. Märkning på höljet: FDD4141. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 69W. Resistans Rds På: 12.3m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 38 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: extremt lågt RDS(on)-motstånd. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 03:25.