FDD770N15A

FDD770N15A. C(tum): 575pF. Kostnad): 64pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56.4 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 1uA. obs: High performance trench technology. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 56.8W. Resistans Rds På: 61m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15.8 ns. Td(på): 10.3 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: extremt lågt RDS(on)-motstånd. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 06:25.