P-kanal transistor, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V - FDC642P-F085
| Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 12.39kr | 15.49kr |
| 5 - 9 | 11.77kr | 14.71kr |
| 10 - 24 | 11.15kr | 13.94kr |
| 25 - 49 | 10.53kr | 13.16kr |
| 50 - 99 | 10.28kr | 12.85kr |
| 100 - 100 | 10.03kr | 12.54kr |
| Kvantitet | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 12.39kr | 15.49kr |
| 5 - 9 | 11.77kr | 14.71kr |
| 10 - 24 | 11.15kr | 13.94kr |
| 25 - 49 | 10.53kr | 13.16kr |
| 50 - 99 | 10.28kr | 12.85kr |
| 100 - 100 | 10.03kr | 12.54kr |
P-kanal transistor, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V - FDC642P-F085. P-kanal transistor, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 1uA. Hölje: SSOT. Hölje (enligt datablad): SUPERSOT-6. Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 630pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: P. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 17 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. IDss (min): 250uA. obs: screentryck/SMD-kod FDC642P. Märkning på höljet: FDC642P. Antal terminaler: 6. Pd (effektförlust, max): 1.2W. Resistans Rds På: 0.0525 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 23.5 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Funktion: Belastningsbrytare, batteriskydd. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 20/04/2025, 23:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.