Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

FJP13007H1

FJP13007H1
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 21.43kr 26.79kr
5 - 9 20.36kr 25.45kr
10 - 24 19.29kr 24.11kr
25 - 49 18.22kr 22.78kr
50 - 99 17.79kr 22.24kr
100 - 143 16.01kr 20.01kr
Kvantitet U.P
1 - 4 21.43kr 26.79kr
5 - 9 20.36kr 25.45kr
10 - 24 19.29kr 24.11kr
25 - 49 18.22kr 22.78kr
50 - 99 17.79kr 22.24kr
100 - 143 16.01kr 20.01kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 143
Set med 1

FJP13007H1. Kostnad): 110pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 28. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: J13007-1. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 14/01/2025, 12:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.