FJN3302R

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 9	5.85kr	7.31kr
10 - 24	5.56kr	6.95kr

Kvantitet	U.P
1 - 9	5.85kr	7.31kr
10 - 24	5.56kr	6.95kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 24

Set med 1

FJN3302R. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 300mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 17:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!