FGB20N60SF

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	78.19kr	97.74kr
2 - 2	74.28kr	92.85kr
3 - 4	70.37kr	87.96kr
5 - 9	66.47kr	83.09kr
10 - 19	64.90kr	81.13kr
20 - 29	63.34kr	79.18kr
30 - 39	60.99kr	76.24kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	78.19kr	97.74kr
2 - 2	74.28kr	92.85kr
3 - 4	70.37kr	87.96kr
5 - 9	66.47kr	83.09kr
10 - 19	64.90kr	81.13kr
20 - 29	63.34kr	79.18kr
30 - 39	60.99kr	76.24kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 39

Set med 1

FGB20N60SF. C(tum): 940pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Märkning på höljet: FGB20N60SF. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 90 ns. Td(på): 12 ns. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2-PAK. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 2. Funktion: solomriktare, UPS, svetsmaskin, PFC. obs: N-kanal MOS IGBT transistor. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 06:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!