N-kanals transistor, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V - FGA60N65SMD

N-kanals transistor, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V - FGA60N65SMD. N-kanals transistor, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. C(tum): 2915pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 47ms. Kollektorström: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Pd (effektförlust, max): 600W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 104 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: "Field Stop IGBT". Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Solar Inverter, UPS, Svetsstation, PFC, Telecom, ESS. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 01:25.