FQP12N60C

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	51.81kr	64.76kr
2 - 2	49.22kr	61.53kr
3 - 4	46.63kr	58.29kr
5 - 9	44.04kr	55.05kr
10 - 19	43.00kr	53.75kr
20 - 28	41.97kr	52.46kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	51.81kr	64.76kr
2 - 2	49.22kr	61.53kr
3 - 4	46.63kr	58.29kr
5 - 9	44.04kr	55.05kr
10 - 19	43.00kr	53.75kr
20 - 28	41.97kr	52.46kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 28

Set med 1

FQP12N60C. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQP12N60C. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 70 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 280 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 225W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): 1. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!