Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 50.23kr | 62.79kr |
5 - 9 | 47.72kr | 59.65kr |
10 - 24 | 45.21kr | 56.51kr |
25 - 49 | 42.69kr | 53.36kr |
50 - 99 | 41.69kr | 52.11kr |
100 - 104 | 39.18kr | 48.98kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 50.23kr | 62.79kr |
5 - 9 | 47.72kr | 59.65kr |
10 - 24 | 45.21kr | 56.51kr |
25 - 49 | 42.69kr | 53.36kr |
50 - 99 | 41.69kr | 52.11kr |
100 - 104 | 39.18kr | 48.98kr |
N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - FQP7N80. N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1420pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 04:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.