FQPF10N60C

FQPF10N60C. C(tum): 1570pF. Kostnad): 166pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 420 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.6 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 144 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb omkopplare, låg grindladdning 44nC, låg Crss 18pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 19:25.