FQP3P50

FQP3P50. C(tum): 510pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 10.8A. ID (T=100°C): 1.71A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 85W. Resistans Rds På: 3.9 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 12 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.