Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 18.69kr | 23.36kr |
5 - 9 | 17.76kr | 22.20kr |
10 - 24 | 16.83kr | 21.04kr |
25 - 49 | 15.89kr | 19.86kr |
50 - 95 | 15.52kr | 19.40kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 18.69kr | 23.36kr |
5 - 9 | 17.76kr | 22.20kr |
10 - 24 | 16.83kr | 21.04kr |
25 - 49 | 15.89kr | 19.86kr |
50 - 95 | 15.52kr | 19.40kr |
FQD19N10L. C(tum): 670pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. Id(imp): 62.4A. ID (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Ekvivalenta: FQD19N10LTM. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.074 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.