Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 22.96kr | 28.70kr |
5 - 9 | 21.82kr | 27.28kr |
10 - 24 | 20.67kr | 25.84kr |
25 - 29 | 19.52kr | 24.40kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 22.96kr | 28.70kr |
5 - 9 | 21.82kr | 27.28kr |
10 - 24 | 20.67kr | 25.84kr |
25 - 29 | 19.52kr | 24.40kr |
IRFBF20S. C(tum): 490pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 350 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 6.8A. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 54W. Resistans Rds På: 8 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 56 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-262 ( I2-PAK ). Hölje (enligt datablad): TO-262. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.