Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 12.12kr | 15.15kr |
5 - 9 | 11.52kr | 14.40kr |
10 - 24 | 10.91kr | 13.64kr |
25 - 49 | 10.30kr | 12.88kr |
50 - 60 | 10.06kr | 12.58kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 12.12kr | 15.15kr |
5 - 9 | 11.52kr | 14.40kr |
10 - 24 | 10.91kr | 13.64kr |
25 - 49 | 10.30kr | 12.88kr |
50 - 60 | 10.06kr | 12.58kr |
IRF7807Z. C(tum): 770pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 31us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: integrerad krets för DC-DC-omvandlare. Id(imp): 88A. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 10 ns. Td(på): 6.9ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.