FQD7N10L

FQD7N10L. C(tum): 220pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FQD7N10L. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 0.258 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 17 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. ID (T=100°C): 3.67A. Funktion: Låg grindladdning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.