FQP13N10

FQP13N10. C(tum): 345pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 72 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 51.2A. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 65W. Resistans Rds På: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Vikt: 2.07g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 5 ns. Teknik: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.