FQP17P10

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	16.71kr	20.89kr
5 - 9	15.88kr	19.85kr
10 - 24	15.04kr	18.80kr
25 - 49	14.21kr	17.76kr
50 - 99	13.87kr	17.34kr
100 - 249	13.54kr	16.93kr
250+	12.87kr	16.09kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	16.71kr	20.89kr
5 - 9	15.88kr	19.85kr
10 - 24	15.04kr	18.80kr
25 - 49	14.21kr	17.76kr
50 - 99	13.87kr	17.34kr
100 - 249	13.54kr	16.93kr
250+	12.87kr	16.09kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Slut i lager

Set med 1

FQP17P10. C(tum): 850pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 16.5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!