Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 44.90kr | 56.13kr |
5 - 8 | 42.66kr | 53.33kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 44.90kr | 56.13kr |
5 - 8 | 42.66kr | 53.33kr |
FQP13N50. C(tum): 1800pF. Kostnad): 245pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 170W. Resistans Rds På: 0.33 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 40 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växlingshastighet. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.