FQP13N50C

FQP13N50C. C(tum): 1580pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 410 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 195W. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 25 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Spec info: Låg grindladdning (typiskt 43nC). G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.