FQP19N10

FQP19N10. C(tum): 600pF. Kostnad): 165pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 78 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 0.078 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.