FQP33N10

FQP33N10. C(tum): 1150pF. Kostnad): 320pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 127W. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 18/01/2025, 05:25.