FQD30N06L

FQD30N06L. C(tum): 800pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 30N06L. Pd (effektförlust, max): 44W. Resistans Rds På: 0.031 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 55 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 05:25.