N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1350V. C(tum): 1500pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Inductive?cooking. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Märkning på höljet: H20R1353. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 405 ns. Td(på): 335 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): PG-TO247-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1350V. C(tum): 1360pF. Kostnad): 43pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 50 ns. Funktion: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Märkning på höljet: H20PR5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 288W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 235 ns. Teknik: TRENCHSTOP TM technology. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.85V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1460pF. Kostnad): 78pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Soft Switching Applications. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Märkning på höljet: H20T120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 178W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 560 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.2V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 2589pF. Kostnad): 77pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 90A. Märkning på höljet: H30R1202. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 390W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 792 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: Induktiv matlagning, mjuka växlingsapplikationer. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): PG-TO247-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1350V. C(tum): 1810pF. Kostnad): 50pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 90A. Märkning på höljet: H30PR5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 310 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.95V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: Induktiv matlagning, mikrovågsugnar. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, Andra, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 30A. obs: trefas AC-motordrivare. Frekvens: 20kHz. Ekvivalenta: Samsung--DC13-00253A. Antal terminaler: 24. Pd (effektförlust, max): 27.4W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 800 ns. Td(på): 560 ns. Teknik: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.55V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.05V. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220-3-1. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 860pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Funktion: High Speed ​​​​IGBT i NPT-teknik. Kollektorström: 15A. Ic(puls): 45A. Märkning på höljet: K15T60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 188 ns. Td(på): 17 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.05V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1860pF. Kostnad): 96pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 200 ns. Funktion: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Kollektorström: 50A. Ic(puls): 75A. Märkning på höljet: K25T120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 560 ns. Td(på): 50 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.2V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 30A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1630pF. Kostnad): 107pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 117 ns. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Märkning på höljet: K30H603. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 187W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 207 ns. Td(på): 21 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V. Ic(T=100°C): 40A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247N. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 2330pF. Kostnad): 185pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 200 ns. Funktion: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 180A. Märkning på höljet: K40H1203. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 483W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 290 ns. Td(på): 30 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.05V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.8V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 116pF. Kostnad): 2960pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 130 ns. Diod tröskelspänning: 1.65V. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Kollektorström: 100A. Ic(puls): 200A. Märkning på höljet: K50H603. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 333W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 235 ns. Td(på): 23 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 3140pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 143 ns. Funktion: Mycket låg VCEsat. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 150A. Märkning på höljet: K50T60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 333W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 299 ns. Td(på): 26 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 4620pF. Kostnad): 288pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 182 ns. Funktion: Mycket låg VCEsat. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 225A. Märkning på höljet: K75T60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 428W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 330 ns. Td(på): 33 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.9V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP-3. Spänning Vds(max): 650V. C(tum): 440pF. Kostnad): 30pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. IDss (min): 1uA. obs: helt isolerat hus (2500VAC/60s). Märkning på höljet: 6R600E6. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 28W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 58 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 0.83 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP-3. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 785pF. Kostnad): 33pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 520 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. IDss (min): 10uA. obs: helt isolerat hus (2500VAC/60s). Märkning på höljet: 8R1K0CE. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 32W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 72 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Resistans Rds På: 2.1M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO263-7. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Pd (effektförlust, max): 214W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: OptiMOS Power. Driftstemperatur: -55...+175°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, 100V, 60.4k Ohms. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 128 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 840pF. Maximal förlust Ptot [W]: 313W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 2.4M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 7500pF. Kostnad): 1900pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificerad. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 4N03L02. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 136W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 62 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: effekt MOSFET transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultralågt motstånd. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 80A, 80A, 100uA, 5.6M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 5.6M Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 3400pF. Kostnad): 880pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificerad. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 2N0607. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 61 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: MOSFET transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultralågt motstånd. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 6.5m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 2860pF. Kostnad): 740pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificerad. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 2N0608. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 215W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 32 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: MOSFET transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultralågt motstånd. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 7.6m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 2360pF. Kostnad): 610pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificerad. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 2N0609. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 190W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 39 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: MOSFET transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultralågt motstånd. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 2.8m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): PG-TO252-3 ( DPAK ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 8000pF. Kostnad): 1700pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 48 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 034N06N. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 63 ns. Td(på): 38 ns. Teknik: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.0058 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 2400pF. Kostnad): 920pF. Kanaltyp: N. Id(imp): 350A. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: 050N03L. Pd (effektförlust, max): 68W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25 ns. Td(på): 6.7 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 27uA. Resistans Rds På: 7.6m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 1900pF. Kostnad): 760pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: PN03L06. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 136W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: OptiMOS® Power-Transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 6.5m Ohms. Hölje: TO-262 ( I2-PAK ). Hölje (enligt datablad): TO-262. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 2860pF. Kostnad): 740pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 kvalificerad. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Märkning på höljet: 2N0608. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 215W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 32 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: MOSFET transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultralågt motstånd. G-S Skydd: NINCS