Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, 100V, 60.4k Ohms - IPB020N10N5LFATMA1

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, 100V, 60.4k Ohms - IPB020N10N5LFATMA1
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 398.43kr 498.04kr
2 - 2 378.51kr 473.14kr
3 - 4 370.54kr 463.18kr
5 - 9 362.57kr 453.21kr
10 - 14 358.59kr 448.24kr
15 - 19 354.60kr 443.25kr
20 - 50 350.62kr 438.28kr
Kvantitet U.P
1 - 1 398.43kr 498.04kr
2 - 2 378.51kr 473.14kr
3 - 4 370.54kr 463.18kr
5 - 9 362.57kr 453.21kr
10 - 14 358.59kr 448.24kr
15 - 19 354.60kr 443.25kr
20 - 50 350.62kr 438.28kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 50
Set med 1

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, 100V, 60.4k Ohms - IPB020N10N5LFATMA1. N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, 100V, 60.4k Ohms. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 128 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 840pF. Maximal förlust Ptot [W]: 313W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Originalprodukt från tillverkaren Infineon. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 16:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.