N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Hölje: TO-3P( N )IS. Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: Högeffektsväxlingsapplikationer. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 37A. Ic(puls): 100A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.51 ns. Td(på): 0.33 ns. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Grind/sändarspänning VGE: 25V

N-kanals transistor, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 35A. Ic(puls): 80A. Märkning på höljet: 10N120BND. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 298W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 165 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: NPT-serien IGBT transistor med anti-parallell hypersnabb diod. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.8V

N-kanals transistor, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V. Hölje: TO-247. Ic(T=100°C): 23A. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. RoHS: ja. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Germanium diod: NINCS. Produktionsdatum: 2014/17. Kollektorström: 54A. Ic(puls): 96A. Märkning på höljet: 12N60A4D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 167W. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 96 ns. Td(på): 17 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.6V

N-kanals transistor, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 24A. Ic(puls): 96A. Märkning på höljet: G12N60C3D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 104W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 270 ns. Td(på): 14 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 160A. Märkning på höljet: G20N60B3D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 165W. RoHS: ja. Spec info: Typisk hösttid 140ns vid 150°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V

N-kanals transistor, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: SMPS Series IGBT. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 75A. Ic(puls): 240A. Märkning på höljet: G30N60A4. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 463W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V

N-kanals transistor, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Hölje: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. RoHS: ja. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 30 ns. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 75A. Ic(puls): 240A. Märkning på höljet: 30N60A4D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 463W. Spec info: 463W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V

N-kanals transistor, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 63A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 75A. Ic(puls): 300A. Märkning på höljet: 40N60A4. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 625W. RoHS: ja. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 145 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 7V

N-kanals transistor, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 25A. Ic(puls): 40A. Märkning på höljet: 5N120BND. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 182 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: NPT-serien IGBT transistor med anti-parallell hypersnabb diod. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.8V

N-kanals transistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 250pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 75307D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-252AA ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 250pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 75307D. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 35W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 35 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 75A, 250uA, 6.5m Ohms, TO-247, TO-247, 55V. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 6.5m Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 3200pF. Kostnad): 1170pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 105 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Omkopplingsregulator. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 75344 G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 285W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 46 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.065 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 3200pF. Kostnad): 1170pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 105 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 75344 P. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 285W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 46 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0115 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 3790pF. Kostnad): 810pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 145 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: UltraFET Power MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 430A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 75645 P. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 41 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AB ), 100V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.0115 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-252AB ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 3790pF. Kostnad): 810pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 145 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: UltraFET Power MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 430A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 75645 S. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 41 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-kanals transistor, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.017 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-252AA ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 850pF. Kostnad): 465pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 58 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 76121D. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 45 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: UltraFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 30 v, 75A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: HUF76145P3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 110 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 135 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4900pF. Maximal förlust Ptot [W]: 270W. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, Andra, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 15A. obs: trefas AC-motordrivare. Frekvens: 20kHz. Antal terminaler: 24. Pd (effektförlust, max): 29W. RoHS: ja. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 750 ns. Td(på): 600 ns. Teknik: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Driftstemperatur: -40...+100°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V

N-kanals transistor, Andra, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 20A. obs: trefas AC-motordrivare. Frekvens: 20kHz. Antal terminaler: 24. Pd (effektförlust, max): 29W. RoHS: ja. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 650 ns. Td(på): 970 ns. Teknik: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Driftstemperatur: -40...+100°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V

N-kanals transistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 4620pF. Kostnad): 240pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 25. Funktion: Mycket låg VCEsat. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 140A. Ic(puls): 225A. Märkning på höljet: G75H603. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 428W. RoHS: ja. Spec info: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Leveranstid: KB. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 265 ns. Td(på): 31 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.25V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.7V

N-kanals transistor, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1165pF. Kostnad): 40pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Induktiv matlagning. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 30A. Ic(puls): 45A. Märkning på höljet: H15R1203. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 254W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 300 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.48V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.75V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V

N-kanals transistor, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): PG-TO247-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1340pF. Kostnad): 43pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 90 ns. Funktion: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Märkning på höljet: H20MR5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 288W. RoHS: ja. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 350 ns. Td(på): 260 ns. Teknik: TRENCHSTOP TM technology. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.55V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.75V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1350V. C(tum): 1500pF. Kostnad): 55pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Inductive?cooking. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Märkning på höljet: H20R1353. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 405 ns. Td(på): 335 ns. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.6V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V

N-kanals transistor, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): PG-TO247-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1350V. C(tum): 1360pF. Kostnad): 43pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Trr-diod (Min.): 50 ns. Funktion: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Märkning på höljet: H20PR5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 288W. RoHS: ja. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 235 ns. Teknik: TRENCHSTOP TM technology. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.85V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.1V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V

N-kanals transistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1460pF. Kostnad): 78pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Soft Switching Applications. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Märkning på höljet: H20T120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 178W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 560 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Trench and Fieldstop -teknologi IGBT-transistor. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.2V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V