Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 23A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG12N60A4D

N-kanals transistor, 23A,  TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG12N60A4D
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 69.99kr 87.49kr
2 - 2 66.49kr 83.11kr
3 - 4 62.99kr 78.74kr
5 - 9 78.30kr 97.88kr
10 - 19 90.23kr 112.79kr
20 - 29 94.78kr 118.48kr
30 - 170 93.43kr 116.79kr
Kvantitet U.P
1 - 1 69.99kr 87.49kr
2 - 2 66.49kr 83.11kr
3 - 4 62.99kr 78.74kr
5 - 9 78.30kr 97.88kr
10 - 19 90.23kr 112.79kr
20 - 29 94.78kr 118.48kr
30 - 170 93.43kr 116.79kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 170
Set med 1

N-kanals transistor, 23A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG12N60A4D. N-kanals transistor, 23A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 23A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Produktionsdatum: 2014/17. Kollektorström: 54A. Ic(puls): 96A. Märkning på höljet: 12N60A4D. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 96 ns. Td(på): 17 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.6V. Antal terminaler: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 22/04/2025, 05:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.