Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 73.03kr | 91.29kr |
2 - 2 | 69.38kr | 86.73kr |
3 - 3 | 67.19kr | 83.99kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 73.03kr | 91.29kr |
2 - 2 | 69.38kr | 86.73kr |
3 - 3 | 67.19kr | 83.99kr |
N-kanals transistor, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG12N60A4D. N-kanals transistor, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V. Hölje: TO-247. Ic(T=100°C): 23A. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. RoHS: ja. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Germanium diod: NINCS. Produktionsdatum: 2014/17. Kollektorström: 54A. Ic(puls): 96A. Märkning på höljet: 12N60A4D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 167W. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 96 ns. Td(på): 17 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.6V. Originalprodukt från tillverkaren Onsemi (fairchild). Antal i lager uppdaterad den 26/07/2025, 13:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.