Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 82.65kr | 103.31kr |
2 - 2 | 78.52kr | 98.15kr |
3 - 4 | 76.04kr | 95.05kr |
5 - 9 | 74.38kr | 92.98kr |
10 - 12 | 72.73kr | 90.91kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 82.65kr | 103.31kr |
2 - 2 | 78.52kr | 98.15kr |
3 - 4 | 76.04kr | 95.05kr |
5 - 9 | 74.38kr | 92.98kr |
10 - 12 | 72.73kr | 90.91kr |
N-kanals transistor, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V - GT35J321. N-kanals transistor, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Hölje: TO-3P( N )IS. Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: Högeffektsväxlingsapplikationer. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 37A. Ic(puls): 100A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.51 ns. Td(på): 0.33 ns. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Grind/sändarspänning VGE: 25V. Originalprodukt från tillverkaren Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 15:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.