Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner
0
Produktkategori :
Audio
>
307
Automatisering
>
19
Computer
>
56
Elektriskt skydd
>
1131
Energi
>
1278
Fritidselektronik
>
528
Halvledare
>
14313
Kablar
>
1760
Kapslingar för elektronik
>
1202
Kontakter
>
5643
Kyl
>
750
Mekaniska delar
>
423
Optoelektronik
>
1955
Passiva komponenter
>
10158
Reläer
>
843
Reparation
>
921
Transformatorer
>
547
Växlar
>
926
Verktyg
>
1365
Halvledare Transistorer
N-kanals FET och MOSFET

N-kanals FET och MOSFET

1204 tillgängliga produkter
Produkter per sida :
1...111213 1415...49
Antal i lager : 310
FQA28N15

FQA28N15

N-kanals transistor, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. ID (T=100°C): ...
FQA28N15
N-kanals transistor, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. ID (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.067 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 1250pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 227W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: DMOS-teknik. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typiskt 40nC). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FQA28N15
N-kanals transistor, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. ID (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.067 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 1250pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 227W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: DMOS-teknik. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typiskt 40nC). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
58.71kr moms incl.
(46.97kr exkl. moms)
58.71kr
Antal i lager : 49
FQA62N25C

FQA62N25C

N-kanals transistor, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 3...
FQA62N25C
N-kanals transistor, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 62A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.029 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 4830pF. Kostnad): 945pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 340 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 248A. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 298W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 245 ns. Td(på): 75 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typisk 44nC). G-S Skydd: NINCS
FQA62N25C
N-kanals transistor, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 62A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.029 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 4830pF. Kostnad): 945pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 340 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 248A. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 298W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 245 ns. Td(på): 75 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typisk 44nC). G-S Skydd: NINCS
Set med 1
107.51kr moms incl.
(86.01kr exkl. moms)
107.51kr
Antal i lager : 21
FQA70N10

FQA70N10

N-kanals transistor, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. ID (T=100°C): ...
FQA70N10
N-kanals transistor, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. ID (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.019 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 2500pF. Kostnad): 720pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 280A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 214W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: DMOS-teknik. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 85nC). G-S Skydd: NINCS
FQA70N10
N-kanals transistor, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. ID (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.019 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 2500pF. Kostnad): 720pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 280A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 214W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: DMOS-teknik. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 85nC). G-S Skydd: NINCS
Set med 1
53.25kr moms incl.
(42.60kr exkl. moms)
53.25kr
Antal i lager : 20
FQA9N90C-F109

FQA9N90C-F109

N-kanals transistor, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 5....
FQA9N90C-F109
N-kanals transistor, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.12 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 2100pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: FQA9N90C. Pd (effektförlust, max): 280W. RoHS: ja. Vikt: 4.7g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typisk 44nC). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FQA9N90C-F109
N-kanals transistor, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.12 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 900V. C(tum): 2100pF. Kostnad): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: FQA9N90C. Pd (effektförlust, max): 280W. RoHS: ja. Vikt: 4.7g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typisk 44nC). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
121.86kr moms incl.
(97.49kr exkl. moms)
121.86kr
Antal i lager : 107
FQAF11N90C

FQAF11N90C

N-kanals transistor, PCB-lödning, ITO-3P, 900V, 7.2A, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V, 30, TO-3PF (SOT399, ...
FQAF11N90C
N-kanals transistor, PCB-lödning, ITO-3P, 900V, 7.2A, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V, 30, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-3P. Drain-source spänning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Resistans Rds På: 0.91 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Spänning Vds(max): 900V. Kapsling (JEDEC-standard): 30. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQAF11N90C. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 130 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 270 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 120W. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
FQAF11N90C
N-kanals transistor, PCB-lödning, ITO-3P, 900V, 7.2A, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V, 30, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-3P. Drain-source spänning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Resistans Rds På: 0.91 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Spänning Vds(max): 900V. Kapsling (JEDEC-standard): 30. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQAF11N90C. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 130 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 270 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 120W. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
Set med 1
78.28kr moms incl.
(62.62kr exkl. moms)
78.28kr
Antal i lager : 90
FQD19N10L

FQD19N10L

N-kanals transistor, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( D...
FQD19N10L
N-kanals transistor, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. ID (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.074 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 670pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. Id(imp): 62.4A. IDss (min): 1uA. Ekvivalenta: FQD19N10LTM. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FQD19N10L
N-kanals transistor, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. ID (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.074 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 670pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. Id(imp): 62.4A. IDss (min): 1uA. Ekvivalenta: FQD19N10LTM. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
23.36kr moms incl.
(18.69kr exkl. moms)
23.36kr
Antal i lager : 25
FQD30N06L

FQD30N06L

N-kanals transistor, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK...
FQD30N06L
N-kanals transistor, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.031 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 800pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. Id(imp): 96A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 30N06L. Pd (effektförlust, max): 44W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 55 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FQD30N06L
N-kanals transistor, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.031 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 800pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 55 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: logisk nivå grindad MOSFET transistor. Id(imp): 96A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 30N06L. Pd (effektförlust, max): 44W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 55 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
22.16kr moms incl.
(17.73kr exkl. moms)
22.16kr
Antal i lager : 45
FQD7N10L

FQD7N10L

N-kanals transistor, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ...
FQD7N10L
N-kanals transistor, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.258 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 100V. ID (T=100°C): 3.67A. C(tum): 220pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FQD7N10L. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 17 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Funktion: Låg grindladdning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FQD7N10L
N-kanals transistor, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.258 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 100V. ID (T=100°C): 3.67A. C(tum): 220pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FQD7N10L. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 17 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Funktion: Låg grindladdning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
27.68kr moms incl.
(22.14kr exkl. moms)
27.68kr
Antal i lager : 26
FQP12N60C

FQP12N60C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220, 600V, 12A, TO-220, 600V, 1. Hölje: PCB-lödning. Hölje:...
FQP12N60C
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220, 600V, 12A, TO-220, 600V, 1. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Kapsling (JEDEC-standard): 1. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQP12N60C. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 70 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 280 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 225W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
FQP12N60C
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220, 600V, 12A, TO-220, 600V, 1. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Kapsling (JEDEC-standard): 1. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQP12N60C. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 70 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 280 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 225W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
Set med 1
64.76kr moms incl.
(51.81kr exkl. moms)
64.76kr
Antal i lager : 55
FQP13N10

FQP13N10

N-kanals transistor, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 9.05A. I...
FQP13N10
N-kanals transistor, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.142 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 345pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 72 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 51.2A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Vikt: 2.07g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 5 ns. Teknik: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FQP13N10
N-kanals transistor, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.142 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 345pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 72 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 51.2A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Vikt: 2.07g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 5 ns. Teknik: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
30.95kr moms incl.
(24.76kr exkl. moms)
30.95kr
Antal i lager : 3
FQP13N50

FQP13N50

N-kanals transistor, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 7.9A. ID (...
FQP13N50
N-kanals transistor, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.33 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 245pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 170W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 40 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växlingshastighet. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FQP13N50
N-kanals transistor, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.33 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 1800pF. Kostnad): 245pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 170W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 40 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växlingshastighet. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
56.13kr moms incl.
(44.90kr exkl. moms)
56.13kr
Antal i lager : 15
FQP13N50C

FQP13N50C

N-kanals transistor, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°...
FQP13N50C
N-kanals transistor, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 1580pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 410 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 52A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 195W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Spec info: Låg grindladdning (typiskt 43nC). G-S Skydd: NINCS
FQP13N50C
N-kanals transistor, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.39 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 1580pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 410 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 52A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 195W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Spec info: Låg grindladdning (typiskt 43nC). G-S Skydd: NINCS
Set med 1
88.28kr moms incl.
(70.62kr exkl. moms)
88.28kr
Antal i lager : 20
FQP19N10

FQP19N10

N-kanals transistor, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T...
FQP19N10
N-kanals transistor, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.078 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 600pF. Kostnad): 165pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 78 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 76A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS
FQP19N10
N-kanals transistor, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 13.5A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.078 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 600pF. Kostnad): 165pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 78 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 76A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
23.48kr moms incl.
(18.78kr exkl. moms)
23.48kr
Antal i lager : 1
FQP19N20C

FQP19N20C

N-kanals transistor, 12.1A, 19A, 19A, 0.14 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T...
FQP19N20C
N-kanals transistor, 12.1A, 19A, 19A, 0.14 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 19A. Resistans Rds På: 0.14 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 76A. Pd (effektförlust, max): 139W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb omkoppling, td(on)15ns, td(off)135ns. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET)
FQP19N20C
N-kanals transistor, 12.1A, 19A, 19A, 0.14 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 19A. Resistans Rds På: 0.14 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 76A. Pd (effektförlust, max): 139W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb omkoppling, td(on)15ns, td(off)135ns. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor (DMOS, QFET)
Set med 1
38.03kr moms incl.
(30.42kr exkl. moms)
38.03kr
Antal i lager : 45
FQP33N10

FQP33N10

N-kanals transistor, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°...
FQP33N10
N-kanals transistor, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1150pF. Kostnad): 320pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. IDss (min): 1uA. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 127W. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FQP33N10
N-kanals transistor, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1150pF. Kostnad): 320pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. IDss (min): 1uA. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 127W. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
35.24kr moms incl.
(28.19kr exkl. moms)
35.24kr
Antal i lager : 8
FQP44N10

FQP44N10

N-kanals transistor, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 30.8A. ID (...
FQP44N10
N-kanals transistor, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 30.8A. ID (T=25°C): 43.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.03 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 425pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 98 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 174A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 146W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FQP44N10
N-kanals transistor, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 30.8A. ID (T=25°C): 43.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.03 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 425pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 98 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 174A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 146W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
29.53kr moms incl.
(23.62kr exkl. moms)
29.53kr
Antal i lager : 49
FQP46N15

FQP46N15

N-kanals transistor, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. ID (T=100°C): 32.2A. ID ...
FQP46N15
N-kanals transistor, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. ID (T=100°C): 32.2A. ID (T=25°C): 45.6A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.033 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 2500pF. Kostnad): 520pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 182A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 210W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 210 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS
FQP46N15
N-kanals transistor, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. ID (T=100°C): 32.2A. ID (T=25°C): 45.6A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.033 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 2500pF. Kostnad): 520pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 182A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 210W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 210 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
40.68kr moms incl.
(32.54kr exkl. moms)
40.68kr
Antal i lager : 371
FQP50N06

FQP50N06

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1. Hölje: PCB-lödning. Hölje: T...
FQP50N06
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Kapsling (JEDEC-standard): 1. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQP50N06. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 40 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1540pF. Maximal förlust Ptot [W]: 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C
FQP50N06
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Kapsling (JEDEC-standard): 1. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQP50N06. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 40 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1540pF. Maximal förlust Ptot [W]: 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C
Set med 1
20.58kr moms incl.
(16.46kr exkl. moms)
20.58kr
Antal i lager : 375
FQP50N06L

FQP50N06L

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220, 60V, 52.4A, TO-220, 60V, 1. Hölje: PCB-lödning. Hölje:...
FQP50N06L
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220, 60V, 52.4A, TO-220, 60V, 1. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Kapsling (JEDEC-standard): 1. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQP50N06L. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 170 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1630pF. Maximal förlust Ptot [W]: 121W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C
FQP50N06L
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220, 60V, 52.4A, TO-220, 60V, 1. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Kapsling (JEDEC-standard): 1. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQP50N06L. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 170 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1630pF. Maximal förlust Ptot [W]: 121W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C
Set med 1
25.94kr moms incl.
(20.75kr exkl. moms)
25.94kr
Antal i lager : 46
FQP5N60C

FQP5N60C

N-kanals transistor, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°...
FQP5N60C
N-kanals transistor, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 2 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 515pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: förbättringsläge effektfälteffekttransistor . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 15nC, låg Crss 6,5pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FQP5N60C
N-kanals transistor, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 2 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 515pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: förbättringsläge effektfälteffekttransistor . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 15nC, låg Crss 6,5pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
34.58kr moms incl.
(27.66kr exkl. moms)
34.58kr
Antal i lager : 104
FQP7N80

FQP7N80

N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=2...
FQP7N80
N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1420pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FQP7N80
N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1420pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
62.79kr moms incl.
(50.23kr exkl. moms)
62.79kr
Antal i lager : 63
FQP7N80C

FQP7N80C

N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=...
FQP7N80C
N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.57 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1290pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 650 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 27nC, låg Crss 10pF. G-S Skydd: NINCS
FQP7N80C
N-kanals transistor, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 1.57 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 1290pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 650 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, låg grindladdning 27nC, låg Crss 10pF. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
34.38kr moms incl.
(27.50kr exkl. moms)
34.38kr
Antal i lager : 27
FQP85N06

FQP85N06

N-kanals transistor, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°...
FQP85N06
N-kanals transistor, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 3170pF. Kostnad): 1150pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 300A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 175 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: DMOS, QFET® MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS
FQP85N06
N-kanals transistor, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 3170pF. Kostnad): 1150pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 300A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 175 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: DMOS, QFET® MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
48.86kr moms incl.
(39.09kr exkl. moms)
48.86kr
Antal i lager : 76
FQP9N90C

FQP9N90C

N-kanals transistor, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C...
FQP9N90C
N-kanals transistor, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Resistans Rds På: 1.12 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 900V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Pd (effektförlust, max): 205W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: DMOS, QFET. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, Låg grindladdning 45nC, Låg Crss 14pF
FQP9N90C
N-kanals transistor, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Resistans Rds På: 1.12 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 900V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Pd (effektförlust, max): 205W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: DMOS, QFET. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, Låg grindladdning 45nC, Låg Crss 14pF
Set med 1
79.73kr moms incl.
(63.78kr exkl. moms)
79.73kr
Antal i lager : 273
FQPF10N20C

FQPF10N20C

N-kanals transistor, 6A, 9.5A, 9.5A, 0.36 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25...
FQPF10N20C
N-kanals transistor, 6A, 9.5A, 9.5A, 0.36 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 9.5A. Resistans Rds På: 0.36 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. Pd (effektförlust, max): 38W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: DMOS, QFET. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, Låg grindladdning 20nC, Låg Crss 40,5pF
FQPF10N20C
N-kanals transistor, 6A, 9.5A, 9.5A, 0.36 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9.5A. Idss (max): 9.5A. Resistans Rds På: 0.36 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 38A. Pd (effektförlust, max): 38W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: DMOS, QFET. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, Låg grindladdning 20nC, Låg Crss 40,5pF
Set med 1
21.11kr moms incl.
(16.89kr exkl. moms)
21.11kr
1...111213 1415...49

Information och teknisk hjälp

Via telefon :
Via e-post
Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.