Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner
0
Produktkategori :
Audio
>
307
Automatisering
>
19
Computer
>
56
Elektriskt skydd
>
1131
Energi
>
1278
Fritidselektronik
>
528
Halvledare
>
14313
Kablar
>
1760
Kapslingar för elektronik
>
1202
Kontakter
>
5643
Kyl
>
750
Mekaniska delar
>
423
Optoelektronik
>
1955
Passiva komponenter
>
10158
Reläer
>
843
Reparation
>
921
Transformatorer
>
547
Växlar
>
926
Verktyg
>
1365
Halvledare Transistorer
N-kanals FET och MOSFET

N-kanals FET och MOSFET

1204 tillgängliga produkter
Produkter per sida :
1...91011 1213...49
Antal i lager : 40
FDA16N50-F109

FDA16N50-F109

N-kanals transistor, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. ID (T=100°C): ...
FDA16N50-F109
N-kanals transistor, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 16.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.31 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 1495pF. Kostnad): 235pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 490 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(imp): 66A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FDA16N50. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 205W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: UniFET MOSFET, DMOS technology. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Låg grindladdning. G-S Skydd: NINCS
FDA16N50-F109
N-kanals transistor, 9.9A, 16.5A, 10uA, 0.31 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 16.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.31 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 1495pF. Kostnad): 235pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 490 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(imp): 66A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FDA16N50. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 205W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: UniFET MOSFET, DMOS technology. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Låg grindladdning. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
70.76kr moms incl.
(56.61kr exkl. moms)
70.76kr
Antal i lager : 60
FDA24N40F

FDA24N40F

N-kanals transistor, 100uA, 0.15 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Idss (max): 100uA. Resistan...
FDA24N40F
N-kanals transistor, 100uA, 0.15 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 400V. C(tum): 2280pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: FDA24N40F. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 235W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 40 ns. Teknik: UniFET MOSFET, DMOS technology. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
FDA24N40F
N-kanals transistor, 100uA, 0.15 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 400V. C(tum): 2280pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: FDA24N40F. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 235W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 40 ns. Teknik: UniFET MOSFET, DMOS technology. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
Set med 1
91.19kr moms incl.
(72.95kr exkl. moms)
91.19kr
Antal i lager : 1
FDA50N50

FDA50N50

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-3P, 500V, 48A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3P. Drain-sour...
FDA50N50
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-3P, 500V, 48A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3P. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FDA50N50. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 220 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 460 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6460pF. Maximal förlust Ptot [W]: 625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
FDA50N50
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-3P, 500V, 48A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3P. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FDA50N50. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 220 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 460 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6460pF. Maximal förlust Ptot [W]: 625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
Set med 1
256.30kr moms incl.
(205.04kr exkl. moms)
256.30kr
Antal i lager : 76
FDA59N25

FDA59N25

N-kanals transistor, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C...
FDA59N25
N-kanals transistor, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.041 Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 3090pF. Kostnad): 630pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 392W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 70 ns. Teknik: UniFET MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FDA59N25
N-kanals transistor, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.041 Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 3090pF. Kostnad): 630pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 392W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 70 ns. Teknik: UniFET MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
75.78kr moms incl.
(60.62kr exkl. moms)
75.78kr
Antal i lager : 36
FDA69N25

FDA69N25

N-kanals transistor, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100Â...
FDA69N25
N-kanals transistor, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 44.2A. ID (T=25°C): 69A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.034 Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 3570pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 210 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 276A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 480W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 95 ns. Teknik: UniFET MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FDA69N25
N-kanals transistor, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 44.2A. ID (T=25°C): 69A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.034 Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 250V. C(tum): 3570pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 210 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 276A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 480W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 95 ns. Teknik: UniFET MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
95.05kr moms incl.
(76.04kr exkl. moms)
95.05kr
Antal i lager : 60
FDB8447L

FDB8447L

N-kanals transistor, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. ID (T=25°C): 50A. Idss...
FDB8447L
N-kanals transistor, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.0087 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263AB. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 1970pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 100A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 28 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FDB8447L
N-kanals transistor, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.0087 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263AB. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 1970pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 100A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 28 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
45.59kr moms incl.
(36.47kr exkl. moms)
45.59kr
Antal i lager : 3339
FDC6324L

FDC6324L

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SUPERSOT-6, 8V, 1.5A/1.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Höl...
FDC6324L
N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SUPERSOT-6, 8V, 1.5A/1.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SUPERSOT-6. Drain-source spänning Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.7W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
FDC6324L
N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SUPERSOT-6, 8V, 1.5A/1.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SUPERSOT-6. Drain-source spänning Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.7W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
Set med 1
6.60kr moms incl.
(5.28kr exkl. moms)
6.60kr
Antal i lager : 6325
FDD5690

FDD5690

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-2...
FDD5690
N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Resistans Rds På: 0.023 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FDD5690. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 24 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1110pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
FDD5690
N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Resistans Rds På: 0.023 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FDD5690. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 24 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1110pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Set med 1
22.15kr moms incl.
(17.72kr exkl. moms)
22.15kr
Antal i lager : 293
FDD6296

FDD6296

N-kanals transistor, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ),...
FDD6296
N-kanals transistor, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.0088 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 25 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 52W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. G-S Skydd: NINCS
FDD6296
N-kanals transistor, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.0088 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 25 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 52W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
47.49kr moms incl.
(37.99kr exkl. moms)
47.49kr
Antal i lager : 82
FDD6635

FDD6635

N-kanals transistor, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-...
FDD6635
N-kanals transistor, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. Idss (max): 59A. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 317pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 26 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Märkning på höljet: FDD6635. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 55W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 28 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS
FDD6635
N-kanals transistor, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. Idss (max): 59A. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 317pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 26 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Märkning på höljet: FDD6635. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 55W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 28 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
24.54kr moms incl.
(19.63kr exkl. moms)
24.54kr
Antal i lager : 258
FDD6672A

FDD6672A

N-kanals transistor, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5...
FDD6672A
N-kanals transistor, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 8.2M Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 5070pF. Kostnad): 550pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. Id(imp): 100A. obs: Logisk nivå grindad transistor. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 69 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Power Trench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V. G-S Skydd: NINCS
FDD6672A
N-kanals transistor, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 8.2M Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 5070pF. Kostnad): 550pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. Id(imp): 100A. obs: Logisk nivå grindad transistor. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 69 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: Power Trench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.8V. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
49.38kr moms incl.
(39.50kr exkl. moms)
49.38kr
Antal i lager : 18
FDD770N15A

FDD770N15A

N-kanals transistor, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPA...
FDD770N15A
N-kanals transistor, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. ID (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 61m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 575pF. Kostnad): 64pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56.4 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. obs: High performance trench technology. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 56.8W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15.8 ns. Td(på): 10.3 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: extremt lågt RDS(on)-motstånd. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FDD770N15A
N-kanals transistor, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. ID (T=100°C): 11.4A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 500uA. Resistans Rds På: 61m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 575pF. Kostnad): 64pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56.4 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. obs: High performance trench technology. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 56.8W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15.8 ns. Td(på): 10.3 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: extremt lågt RDS(on)-motstånd. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
26.78kr moms incl.
(21.42kr exkl. moms)
26.78kr
Antal i lager : 1395
FDD8447L

FDD8447L

N-kanals transistor, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPA...
FDD8447L
N-kanals transistor, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.085 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 1970pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 2500. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 22 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FDD8447L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 44W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 38 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Power Trench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Snabb växling, växelriktare, nätaggregat. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FDD8447L
N-kanals transistor, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.085 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 1970pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 2500. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 22 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: FDD8447L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 44W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 38 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Power Trench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Snabb växling, växelriktare, nätaggregat. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
20.39kr moms incl.
(16.31kr exkl. moms)
20.39kr
Antal i lager : 25
FDD8878

FDD8878

N-kanals transistor, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPA...
FDD8878
N-kanals transistor, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 880pF. Kostnad): 195pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 2500. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 23 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 39 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Power Trench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. G-S Skydd: NINCS
FDD8878
N-kanals transistor, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 880pF. Kostnad): 195pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 2500. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 23 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 39 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Power Trench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
14.74kr moms incl.
(11.79kr exkl. moms)
14.74kr
Antal i lager : 30
FDH3632

FDH3632

N-kanals transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T...
FDH3632
N-kanals transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247-3. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 6000pF. Kostnad): 820pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 64 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FDH3632
N-kanals transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247-3. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 6000pF. Kostnad): 820pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 64 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
118.85kr moms incl.
(95.08kr exkl. moms)
118.85kr
Antal i lager : 4
FDH45N50F-F133

FDH45N50F-F133

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 500V, 45A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-...
FDH45N50F-F133
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 500V, 45A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FDH45N50F. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 140 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 215 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6630pF. Maximal förlust Ptot [W]: 625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
FDH45N50F-F133
N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-247, 500V, 45A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FDH45N50F. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 140 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 215 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 6630pF. Maximal förlust Ptot [W]: 625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
Set med 1
181.80kr moms incl.
(145.44kr exkl. moms)
181.80kr
Antal i lager : 1
FDMS9620S

FDMS9620S

N-kanals transistor, 7.5A, 7.5A, SMD, Power-56-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 7.5A. Hölje...
FDMS9620S
N-kanals transistor, 7.5A, 7.5A, SMD, Power-56-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 7.5A. Hölje: SMD. Hölje (enligt datablad): Power-56-8. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: dubbel N-kanals MOSFET-transistor, 30V, PowerTrench MOSFET . Antal per fodral: 2. Funktion: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2)
FDMS9620S
N-kanals transistor, 7.5A, 7.5A, SMD, Power-56-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 7.5A. Hölje: SMD. Hölje (enligt datablad): Power-56-8. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: dubbel N-kanals MOSFET-transistor, 30V, PowerTrench MOSFET . Antal per fodral: 2. Funktion: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2)
Set med 1
50.03kr moms incl.
(40.02kr exkl. moms)
50.03kr
Antal i lager : 68
FDP18N50

FDP18N50

N-kanals transistor, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 10.8A. ID (...
FDP18N50
N-kanals transistor, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.22 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2200pF. Kostnad): 330pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 72A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 235W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 55 ns. Teknik: N-Channel MOSFET (UniFET). Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FDP18N50
N-kanals transistor, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.22 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 2200pF. Kostnad): 330pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 72A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 235W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 55 ns. Teknik: N-Channel MOSFET (UniFET). Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
74.46kr moms incl.
(59.57kr exkl. moms)
74.46kr
Antal i lager : 189
FDP2532

FDP2532

N-kanals transistor, 0.016 Ohms, TO-220AB, 56A, 79A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V. Resistans ...
FDP2532
N-kanals transistor, 0.016 Ohms, TO-220AB, 56A, 79A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: TO-220AB. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 79A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. Drain-source spänning (Vds): 150V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 79A. Effekt: 310W. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS
FDP2532
N-kanals transistor, 0.016 Ohms, TO-220AB, 56A, 79A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: TO-220AB. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 79A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 150V. Drain-source spänning (Vds): 150V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 79A. Effekt: 310W. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
68.45kr moms incl.
(54.76kr exkl. moms)
68.45kr
Antal i lager : 5
FDP3632

FDP3632

N-kanals transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=...
FDP3632
N-kanals transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 6000pF. Kostnad): 820pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 64 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
FDP3632
N-kanals transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.009 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 6000pF. Kostnad): 820pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 64 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
77.55kr moms incl.
(62.04kr exkl. moms)
77.55kr
Antal i lager : 45
FDP3652

FDP3652

N-kanals transistor, 43A, 61A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=...
FDP3652
N-kanals transistor, 43A, 61A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 61A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 2880pF. Kostnad): 3990pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 62 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS
FDP3652
N-kanals transistor, 43A, 61A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 61A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 2880pF. Kostnad): 3990pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 62 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare och UPS-växelriktare. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
59.24kr moms incl.
(47.39kr exkl. moms)
59.24kr
Antal i lager : 30
FDPF12N50NZ

FDPF12N50NZ

N-kanals transistor, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 6.9A. ID ...
FDPF12N50NZ
N-kanals transistor, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.46 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 945pF. Kostnad): 155pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 315 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 46A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 42W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: UniFET TM II MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 23nC), Låg Crss 14pF. G-S Skydd: ja
FDPF12N50NZ
N-kanals transistor, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11.5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.46 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 945pF. Kostnad): 155pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 315 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 46A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 42W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: UniFET TM II MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Låg grindladdning (typiskt 23nC), Låg Crss 14pF. G-S Skydd: ja
Set med 1
50.19kr moms incl.
(40.15kr exkl. moms)
50.19kr
Antal i lager : 169
FDPF5N50T

FDPF5N50T

N-kanals transistor, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°...
FDPF5N50T
N-kanals transistor, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 1.15 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 480pF. Kostnad): 66pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 28W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 28 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: UniFET MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Låg grindladdning (typisk 11nC), låg Crss 5pF. G-S Skydd: NINCS
FDPF5N50T
N-kanals transistor, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 1.15 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 480pF. Kostnad): 66pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 28W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 28 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: UniFET MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Låg grindladdning (typisk 11nC), låg Crss 5pF. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
32.90kr moms incl.
(26.32kr exkl. moms)
32.90kr
Antal i lager : 23
FDPF7N50U

FDPF7N50U

N-kanals transistor, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°...
FDPF7N50U
N-kanals transistor, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 720pF. Kostnad): 95pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Låg grindladdning (typisk 12nC), låg Crss 9pF. G-S Skydd: NINCS
FDPF7N50U
N-kanals transistor, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 720pF. Kostnad): 95pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 6 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Låg grindladdning (typisk 12nC), låg Crss 9pF. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
49.99kr moms incl.
(39.99kr exkl. moms)
49.99kr
Antal i lager : 69
FDS6670A

FDS6670A

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30 v, 13A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Dr...
FDS6670A
N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30 v, 13A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: FDS6670A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 64 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2220pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
FDS6670A
N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30 v, 13A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: FDS6670A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 64 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2220pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
Set med 1
40.80kr moms incl.
(32.64kr exkl. moms)
40.80kr
1...91011 1213...49

Information och teknisk hjälp

Via telefon :
Via e-post
Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.