Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 36.47kr | 45.59kr |
5 - 9 | 34.64kr | 43.30kr |
10 - 24 | 33.55kr | 41.94kr |
25 - 49 | 32.82kr | 41.03kr |
50 - 58 | 32.09kr | 40.11kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 36.47kr | 45.59kr |
5 - 9 | 34.64kr | 43.30kr |
10 - 24 | 33.55kr | 41.94kr |
25 - 49 | 32.82kr | 41.03kr |
50 - 58 | 32.09kr | 40.11kr |
N-kanals transistor, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V - FDB8447L. N-kanals transistor, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.0087 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263AB. Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 1970pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 100A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 28 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt från tillverkaren ON Semiconductor. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 06:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.