N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 9.8m Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 1205pF. Kostnad): 290pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 2500. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 28 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: logisk nivåkontroll. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 8.2A, 30 v, 8.2A/6.9A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): 8.2A. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: FDS6900AS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 29 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 570pF/600pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30 v, 6A/6A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: FDS6912. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 29 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 740pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

N-kanals transistor, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 19m Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 475pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1uA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 42 ns. Td(på): 5 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 5.4A, SO, SO-8. ID (T=100°C): 5.4A. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 15 ns. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.030 Ohms. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 25V, 0.22A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 301. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 301. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 8 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 9.5pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 25V, 0.68A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 303. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. C(tum): 2915pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 47ms. Kollektorström: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Pd (effektförlust, max): 600W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 104 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: "Field Stop IGBT". Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Solar Inverter, UPS, Svetsstation, PFC, Telecom, ESS. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2-PAK. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 940pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. Märkning på höljet: FGB20N60SF. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 90 ns. Td(på): 12 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 2. Funktion: solomriktare, UPS, svetsmaskin, PFC. obs: N-kanal MOS IGBT transistor. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2110pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Märkning på höljet: FGH40N60SFD. Pd (effektförlust, max): 290W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 115 ns. Td(på): 25 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.9V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 1880pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 70 ns. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Pd (effektförlust, max): 349W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 92 ns. Td(på): 12 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Solar Inverter, UPS, Svetsstation, PFC, Telecom, ESS. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2110pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorström: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Pd (effektförlust, max): 290W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 112 ns. Td(på): 24 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2820pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 47 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorström: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Märkning på höljet: FGH60N60SFD. Pd (effektförlust, max): 378W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 134 ns. Td(på): 22 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.9V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2820pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorström: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Märkning på höljet: FGH60N60SF. Pd (effektförlust, max): 378W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 134 ns. Td(på): 22 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.9V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2915pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 30 ns. Funktion: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Kollektorström: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Märkning på höljet: FGH60N60SMD. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 18 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 30. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 25A, Andra, Andra, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1.45pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 39A. Ic(puls): 50A. Mått: 56.7x48x12mm. Pd (effektförlust, max): 175W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.46 ns. Td(på): 0.08 ns. Teknik: IGBT Hybridmodul. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.25V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.2V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Antal terminaler: 33dB. obs: 7x IGBT+ CE Diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. ID (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.93 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 800V. C(tum): 2150pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 730 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: FQA10N80C. Pd (effektförlust, max): 240W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 30. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typisk 44nC). G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-3PN, 900V, 11A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3PN. Drain-source spänning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQA11N90C. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 130 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 270 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-3PN, 900V, 11A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3PN. Drain-source spänning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQA11N90C_F109. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 130 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 270 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-3PN, 900V, 11.4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3PN. Drain-source spänning Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQA 11N90. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 140 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 340 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=100°C): 9.5A. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.43 Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 1580pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 218W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: DMOS-teknik. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typiskt 43nC). G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-3PN, 800V, 12.6A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 1. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3PN. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 800V. Kapsling (JEDEC-standard): 1. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FQA13N80. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 130 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 320 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 155 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 2800pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 420 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 74A. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 300W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 65 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typisk 44nC). G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.156 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 3500pF. Kostnad): 520pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 96A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 290W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 80 ns. Teknik: DMOS-teknik. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typisk 90nC). G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. ID (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 4200pF. Kostnad): 550pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 470 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 94A. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 310W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 90 ns. Teknik: DMOS-teknik. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb växling, låg grindladdning (typisk 90nC). G-S Skydd: NINCS