Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

N-kanals transistor, 25A, Andra, Andra, 1200V - FP25R12W2T4

N-kanals transistor, 25A, Andra, Andra, 1200V - FP25R12W2T4
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 1 793.56kr 991.95kr
2 - 2 753.88kr 942.35kr
3 - 4 738.01kr 922.51kr
5 - 9 722.14kr 902.68kr
10 - 14 714.21kr 892.76kr
15 - 19 706.27kr 882.84kr
20+ 698.34kr 872.93kr
Kvantitet U.P
1 - 1 793.56kr 991.95kr
2 - 2 753.88kr 942.35kr
3 - 4 738.01kr 922.51kr
5 - 9 722.14kr 902.68kr
10 - 14 714.21kr 892.76kr
15 - 19 706.27kr 882.84kr
20+ 698.34kr 872.93kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Slut i lager
Set med 1

N-kanals transistor, 25A, Andra, Andra, 1200V - FP25R12W2T4. N-kanals transistor, 25A, Andra, Andra, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 1.45pF. CE-diod: ja. Kanaltyp: N. Funktion: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 39A. Ic(puls): 50A. obs: 7x IGBT+ CE Diode. Antal terminaler: 33dB. Mått: 56.7x48x12mm. Pd (effektförlust, max): 175W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.46 ns. Td(på): 0.08 ns. Teknik: IGBT Hybridmodul. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.25V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.2V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.4V. Originalprodukt från tillverkaren Eupec/infineon. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 06:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.