Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 78.19kr | 97.74kr |
2 - 2 | 74.28kr | 92.85kr |
3 - 4 | 71.94kr | 89.93kr |
5 - 9 | 70.37kr | 87.96kr |
10 - 19 | 68.81kr | 86.01kr |
20 - 29 | 66.47kr | 83.09kr |
30 - 31 | 64.12kr | 80.15kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 78.19kr | 97.74kr |
2 - 2 | 74.28kr | 92.85kr |
3 - 4 | 71.94kr | 89.93kr |
5 - 9 | 70.37kr | 87.96kr |
10 - 19 | 68.81kr | 86.01kr |
20 - 29 | 66.47kr | 83.09kr |
30 - 31 | 64.12kr | 80.15kr |
N-kanals transistor, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V - FGB20N60SF. N-kanals transistor, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2-PAK. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 940pF. Kostnad): 110pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N. Funktion: solomriktare, UPS, svetsmaskin, PFC. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 60A. obs: N-kanal MOS IGBT transistor. Märkning på höljet: FGB20N60SF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 90 ns. Td(på): 12 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.4V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Originalprodukt från tillverkaren Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 09/06/2025, 07:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.