N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 100V, 34A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUZ22. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 300 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1850pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 2.6A, 2.6A, 1000V. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (max): 2.6A. Spänning Vds(max): 1000V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 78W. Teknik: V-MOS L. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 330pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 200V, 7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUZ73LH. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 840pF. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Resistans Rds På: 3 Ohms. Spänning Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 40W. Teknik: V-MOS. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Resistans Rds På: 1.8 Ohms. Spänning Vds(max): 400V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 40W. Teknik: V-MOS. obs: <57/115ns. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 400V, 2.7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BUZ76A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 650pF. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 1.7A, 2.7A, 2.7A, 4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 2.7A. Resistans Rds På: 4 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: <50/105ns. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 460pF. Kostnad): 55pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 350 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 75W. Td(av): 50 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: V-MOS. Driftstemperatur: -50...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. Idss (max): 2.1A. Resistans Rds På: 3 Ohms. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 40W. Teknik: V-MOS (F). obs: <100/220ns. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 3.2A, 3.2A, 800V. ID (T=25°C): 3.2A. Idss (max): 3.2A. Spänning Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: V-MOS. Pd (effektförlust, max): 78W. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 2.8A, 4.5A, 4.5A, 1.6 Ohms, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 4.5A. Resistans Rds På: 1.6 Ohms. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 75W. Teknik: V-MOS. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Resistans Rds På: 2 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Resistans Rds På: 2 Ohms. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 35W. Teknik: TO-220F. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Resistans Rds På: 0.9 Ohms. Hölje: TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS. Antal per fodral: 1

N-kanals transistor, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.9 Ohms. Hölje: TO-220. Spänning Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 32A. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 150W. Teknik: V-MOS

N-kanals transistor, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Resistans Rds På: 0.011 Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 156A. Pd (effektförlust, max): 75W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Field Effect Power MOSFET

N-kanals transistor, 200A, Andra, Andra, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 40pF. Kostnad): 14pF. Kanaltyp: N. Funktion: Dubbel IGBT-transistor (isolerad). Kollektorström: 200A. Ic(puls): 400A. Mått: 108x62x31mm. Pd (effektförlust, max): 1500W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 300 ns. Td(på): 250 ns. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 6V. Antal terminaler: 7. Spec info: Högeffektsväxling. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, 2 mm × 2 mm plastfodral, 30 v. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.024...0.042 Ohms. Hölje: WSON6. Hölje (enligt datablad): 2 mm × 2 mm plastfodral. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 260pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. Antal terminaler: 6. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 17W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 4.2 ns. Td(på): 2.8 ns. Teknik: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 600A, Andra, Andra, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. C(tum): 37pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 600A. Ic(puls): 1200A. Mått: 172x89x37mm. Pd (effektförlust, max): 3350W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 0.7 ns. Td(på): 0.21 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 5.8V. Antal terminaler: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Funktion: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, 30V/-30V, 6A/-4.2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: C3025LS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.2V/-2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 590/631pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Komponentfamilj: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10mA. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Spänning Vds(max): 200V. Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(tum): 900pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Olika: HI-FI effektförstärkare. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER Förstärkare MOSFET. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 155 ns. Teknik: N–CHANNEL POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 14V. Grind/källa spänning (av) max.: 1.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.1V. Spec info: komplementär transistor (par) ECW20P20. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Spänning Vds(max): 200V. Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(tum): 500pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Olika: HI-FI effektförstärkare. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER Förstärkare MOSFET. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 100 ns. Teknik: N–CHANNEL POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 14V. Grind/källa spänning (av) max.: 1.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.15V. Spec info: komplementär transistor (par) ECX10P20. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1148pF. Kostnad): 671pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 390 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 119 ns. Td(på): 34 ns. Teknik: SuperFET MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.32 Ohms, TO-220F, 7A, 11A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V, 650V. Resistans Rds På: 0.32 Ohms. Hölje: TO-220F. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.33 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 600V. Drain-source spänning (Vds): 650V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Max dräneringsström: 11A. Effekt: 36W. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 36W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: SuperFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V