N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, Andra, Andra, 600V. Hölje: Andra. Hölje (enligt datablad): Andra. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Kanaltyp: N. Kollektorström: 30A. Mått: 107.5x45x17mm. Pd (effektförlust, max): 700W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 250 ns. Td(på): 50 ns. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6.5V. Antal terminaler: 24. Spec info: 7x IGBT. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

N-kanals transistor, 0.1A, 0.1A, 15 Ohms, 50V. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (max): 0.1A. Resistans Rds På: 15 Ohms. Spänning Vds(max): 50V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. obs: 5ns...20ns. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Teknik: D-MOS Log.L

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.173A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BSN20. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 25pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.83W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100nA. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 250pF. Kostnad): 88pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 69 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 24A. IDss (min): 10nA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 8.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 21 ns. Td(på): 6 ns. Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Teknik: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 600V, 0.12A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.12A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BSP125. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 130pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.7W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 600V, 0.1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BSP135. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.1V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.1 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 42 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 146pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 60V, 1.8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BSP295. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.8V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.1 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 41 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 368pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 200V, 0.6A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BSP297. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.8V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 160 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 240V, 0.35A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BSP89. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.8V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 24 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 140pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 150mA. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 3.5 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 23pF. Kostnad): 6pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 11 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: screentryck/SMD-kod SA. Id(imp): 600mA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: SA. Ekvivalenta: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 12 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100V, 0.19A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: "SAs". Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.8V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 3.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 11 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 20.9pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100V, 0.17A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SA. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 40pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 170mA. Idss (max): 46.4k Ohms. Resistans Rds På: 6 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 20pF. Kostnad): 9pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 11 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: screentryck/SMD-kod SA. Id(imp): 680mA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: SA. Ekvivalenta: BSS123-7-F. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: Fälteffekt Transistor Logic Level Enhancement Mode. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SA. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.6V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 20pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 600V, 0.021A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SHS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 28pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 240V, 0.1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SRs. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.8V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 77pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.22A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.7 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 50V. C(tum): 27pF. Kostnad): 13pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 0.88A. IDss (min): 0.5uA. obs: screentryck/SMD-kod SS. Märkning på höljet: SS. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.36W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 2.5 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: Logic Level Enhancement Mode. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.2A. Resistans Rds På: 1.4 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 50V. C(tum): 50pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. IDss (min): 0.5uA. obs: screentryck/SMD-kod SS. Märkning på höljet: SS. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Vikt: 0.008g. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V. Spec info: Logic Level Enhancement Mode. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 50V, 200mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 200mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 36ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 27pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: J1. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236AB, 250V, 0.03A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spänning Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.03A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: STs. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 76pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 55V, 0.54A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.6V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 31 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 75pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 0.25A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. ID (T=25°C): 0.25A. Idss (max): 1000uA. Resistans Rds På: 5 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 240V. C(tum): 80pF. Kostnad): 15pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. IDss (min): 100uA. Märkning på höljet: SS88. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 5 ns. Teknik: "Förbättringsläge". Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.6V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 5 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): SOT54. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 25pF. Kostnad): 8.5pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. IDss (min): 0.01uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.83W. Td(av): 12 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Very fast switching, Logic level compatible. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 5 Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 25pF. Kostnad): 8.5pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Mycket snabb växling. Id(imp): 0.8A. IDss (min): 0.01uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.83W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 12 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: Fälteffekttransistor i förbättringsläge . Driftstemperatur: -65...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Logiknivåkompatibel. G-S Skydd: NINCS