N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 18M Ohms. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 1160pF. Kostnad): 187pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 17.7 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 1.4W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 51.7 ns. Td(på): 6.2 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: ESD-skyddad. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 0.0047 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 6060pF. Kostnad): 638pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 33.5 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 51.5 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. Funktion: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Spec info: Ultralågt grindmotstånd. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12.7A. Idss (max): 20mA. Resistans Rds På: 0.0098 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 1980pF. Kostnad): 317pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 11.2 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. IDss (min): 0.02mA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3.1W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 27 ns. Td(på): 5.5 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Antal per fodral: 1. Funktion: FET i SMPS, lastväxling. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (max): 20mA. Resistans Rds På: 0.0039 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 3760pF. Kostnad): 682pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 18 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. IDss (min): 0.1mA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 34 ns. Td(på): 9.5 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 20mA. Resistans Rds På: 0.0058 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 2154pF. Kostnad): 474pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 12 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. IDss (min): 0.1mA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3.1W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25.2 ns. Td(på): 6.8 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Antal per fodral: 1. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO, SO-8, 60V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 46m Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 27.5us. Funktion: MOSFET transistor, Rds (ON) mycket låg. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) min.: 4.7V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 2

N-kanals transistor, 18A, 18A, 5uA, 13.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 13.6m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 1040pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 19 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: D408. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 17.4 ns. Td(på): 4.5 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. Spec info: komplementär transistor (par) AOD405. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 47m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 450pF. Kostnad): 61pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 27.6 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 16 ns. Td(på): 4.2 ns. Teknik: "Senaste Trench Power MOSFET-tekniken". Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 54A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 6m Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 951pF. Kostnad): 373pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 10.2 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. Id(imp): 96A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 18.5 ns. Td(på): 6.25 ns. Teknik: "Senaste Trench Power MOSFET-tekniken". Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.8V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. Spec info: Mycket låg RDS(på) vid 10VGS. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 3.9A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 400V. Kostnad): 16pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 172ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 52W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 18 ns. Td(på): 17 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. C(tum): 273pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 500V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.71 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 962pF. Kostnad): 98pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 332ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 178W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 55 ns. Td(på): 24 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 5.3m Ohms. Hölje: PowerPAK SO-8. Hölje (enligt datablad): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 2850pF. Kostnad): 258pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 19 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 170A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 83W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 29 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Antal per fodral: 1. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 1.9m Ohms. Hölje: PowerPAK SO-8. Hölje (enligt datablad): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 3430pF. Kostnad): 1327pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 22 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 83W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 33.8 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: "Senaste Trench Power AlphaMOS-tekniken". Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 5uA. Resistans Rds På: 7.7m Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1100pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 19 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: AOY2610E. Pd (effektförlust, max): 59.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 22 ns. Td(på): 6.5 ns. Teknik: Trench Power AlphaSGTTM technology. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

N-kanals transistor, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 25m Ohms. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 655pF. Kostnad): 145pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 95A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 40T03 GP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 25m Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 655pF. Kostnad): 145pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 95A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 40T03 GP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 mS. Td(på): 6 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 25m Ohms. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 655pF. Kostnad): 145pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 95A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 40T03GS. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 16 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (max): 10.4A. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 450pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 20 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Märkning på höljet: 4800C G M. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 17 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Enhancement Mode Power MOSFET . Funktion: snabb växling, DC/DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 48m Ohms. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 300V. C(tum): 8440pF. Kostnad): 1775pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 160A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 88N30W. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 312W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Enhancement-Mode Power MOSFET . Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.02 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 1170pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb växling, växelriktare, nätaggregat. Id(imp): 150A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 9962GH. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 27.8W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 8 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, DIP, DIP-8. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DIP-8. Kanaltyp: N. Funktion: MOS-N-FET. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.050R (50m Ohms)

N-kanals transistor, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb växling, växelriktare, nätaggregat. Id(imp): 90A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 9971GH. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 39W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 26 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

N-kanals transistor, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 25uA. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220CFM. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1700pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NO. Id(imp): 80A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

N-kanals transistor, 4A, 7A, 0.050R (50m Ohms), SO, SO-8, 60V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 7A. Resistans Rds På: 0.050R (50m Ohms). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 2. Id(imp): 28A. Märkning på höljet: 9971GM. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 4W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Port-/källspänning Vgs: 20V. Funktion: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns

N-kanals transistor, 4A, 4A, SOT-89, SOT-89, 20V. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Spänning Vds(max): 20V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: td(on) 12ns. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Förbättringsläge MOSFET"